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半导体技术范文精选

半导体技术

半导体技术范文第1篇

2006年,全区财政部门紧紧围绕区委区政府的中心工作,以“解放思想、加快发展、振兴薛城”活动为动力,以服务经济转变职能为己任,树立大财政思维观,着眼生财、聚财、用财三篇文章,着力算好政治账、发展账、大局账,坚持改革与发展并行,开源与节流并重,管理与监督并举,努力为政府管好家、理好财。截至2006年12月31日实现财政收入16860元,占预算101.8%,同比增长23.4%,连续十六年实现财政收支平衡。全区财政系统18项聚财任务目标完成23228.7万元,占年初任务目标的157%,超任务目标8427.95万元。人均聚集财力100余万元。努力实现了“六个确保”,确保了全年财政收入任务的完成;确保了财政自身任务的完成;确保了区级机关事业单位人员工资的按月足额发放和增资政策、房补资金以及欠发达乡镇财政补助的兑现,确保了机关事业单位正常运转,确保了社会稳定和重点工程所需资金的及时到位;确保了第十六个财政平衡年的实现。,

机关精神文明建取得显著成绩,在2006年全省财政工作暨“双先”表彰会议上,我局继1998年被省政府表彰后又蝉联为“全省财政系统先进集体”,成为全市财政系统唯一连续十年保持此项荣誉的单位,连续四年保持省级文明单位光荣称号。2006年共获各级荣誉和会议推广经验46项,其中省市区各类荣誉29项(省级3项、市级17项、区级9项),其中国家省市区会议推广经验18项(部级2项、省级3项、市级9项、区级4项)。2006年6月,我局“精神文明春满园,财政工作谱新篇”先进事迹被《县乡财政》2006年第六期在全国推广介绍。回顾2006年的工作,概括起来主要有以下几个特点:

(一)工作思路清晰,理财重点明确。财政工作千头万绪,涉及经济建设、社会稳定、改革发展的方方面面,特别是去年面临非典疫情、煤炭停产、阴雨涝灾等种种不利因素,财政收支矛盾十分突出,必须进一步理清工作思路,把握理财重点,以此来统一局党组一班人及广大干部职工的思想,进一步增强做好财政工作的紧迫感和责任感。明确制定了全年财政工作的指导思想和总体工作思路。即“围绕一个中心、做好三篇文章、强化四个重点、落实四项任务、巩固五个改革、实现五个确保”,具体为:紧紧围绕区委、区政府的中心工作,做好生财、聚财、用财三篇文章;强化征收资金、回收资金、争取资金、支出管理四个重点,落实好预算内收入、预算外统筹收入、回收资金、争取资金四项任务,加大“聚财”力度;巩固完善农村税费改革、深化会计委派改革、贯彻落实《政府采购法》、全面推行“票款分离”、完善医疗保障等五项改革,以改革促发展;力争实现“六个确保”。并以此为主线贯穿于全年财政工作的始终,做到了目标明确,重点突出,起到了有的放矢、事半功倍的良好效果。

(二)突出“六个三”重点,促进了财政自身收入任务的全面超额完成。将全面完成财政收入任务、确保实现第十六个财政平衡年作为事关全区、事关全年的政治任务切实抓紧抓好。突出重点,攻克难点,全力以赴组织收入,抢抓机遇争取资金,千方百计回收借款,确保了财政系统硬件岗位目标任务项项完成、率先完成、全面完成、超额完成。

一是做到“任务、责任、要求”“三明确”。以局一号文的形式下达的全系统征收资金、争取资金、回收资金等18项14800万元聚财任务(相当于全区财政收入的83%),分解落实到局机关科室、落实到基层分局(所),并在局一楼大厅公开栏对局机关各股室、各镇街财政所2006年度任务目标进行了任务公开、进度公开、考核公开,通过各项指标硬化、任务细化、总体量化从而增强了广大干部职工完成任务目标的紧迫感、责任感。二是做到“领导、时间、精力”“三集中”。时间打紧,计划定满,提高效率,讲求实效。集中领导、集中精力、集中时间,局领导班子带头抓落实,股所、长率先抓落实,按照各自的目标任务量化明确到人,责任到人,早抓快抓抓好,打好突击战、攻坚战,以全力以赴的态势和只争朝夕的精神争取工作的主动。三是做到“调度、考核、通报”“三加强”。实行分管领导责任调度,主要任务重点调度,难点项目直接调度,对硬件任务完成进度认真核实,按月通报,形成了“比、学、赶、超”的良性竞争氛围。四是做到“名次排列、风险抵押、全员岗位责任制”“三约束”。严格推行岗位目标责任制,定数额指标,定时间指标,对照任务目标订措施,对照措施抓落实。对完成情况排列名次,实行风险抵押金,按完成情况同奖同罚,年度考核严格兑现。五是做到任务完成与“政治荣誉、经济利益、岗位轮换”“三挂钩”。建立奖勤罚懒、奖优罚劣、论功行赏、奖罚分明的激励约束机制,以完成任务定奖罚,以完成任务定岗位轮换,运用经济手段、组织手段启动内在活力,强力推进财政各项目标任务的完成。六是做到“三讲三不讲”。在任务完成上倡导“讲效果不讲过程,讲内因不讲外因,讲主观不讲客观”。发扬敢打硬仗、能打胜仗的优良传统,将财政工作“提速”真正体现在聚财任务的全面超额完成上。

(三)统筹安排财力,突出保工资、保稳定的大局。能否保证工资正常发放,事关形象、事关人心、事关稳定、事关大局。始终把保工资放在财政工作的首要位置,把按月发放工资作为保大局的第一支出要务。在预算执行中,由于收入大起大落、不够均衡,造成资金调度困难,支付压力加大。财政部门从维护稳定保大局出发,克服种种困难,积极多方筹措资金,努力争取上级财政的支持,局9位班子成员和40多位中层干部全年不下400多趟次不厌其烦地跑市局跑省厅,截至12月31日向省市报送85项申请报告,实际到位资金9978万元,较去年同期增加2500万元,为弥补我区的财力不足做出积极贡献,为实现“六个确保”赢得了财力支持。上半年全区共投入防“非典”经费348万元,有效预防和控制了“非典”疫情,维护了社会稳定和人民群众的身心健康。特别是去年年底,财政部门自我加压,积极当好区委政府理财参谋,得到了区领导的首肯。积极实施对区直部门发放住房补贴,同时兑现国办发(2006)93号文增资政策。对乡镇给予最大限额的财力补助,尽最大努力保证了工资及房补政策逐步兑现,把经济发展的成果体现在提高广大干部职工切身利益上。集中资金支持招商引资活动的有效开展,去年区财政共拨付招商引资经费570万元,是前两年的两倍还多。加快基础设施建设,千方百计筹措资金4100多万元用于泰山路改造、光明路扩宽、枣济线改造、天山路修建、乡村道路建设、园区建设、城市维护、农业发展支出等重点工程建设,多方拆借资金4290万元用于第三期社员股金、典当行股金、变压器厂啤酒厂股金的及时兑现,有效防止了群体性事件的发生,维护了全区社会稳定和政治安定,优化了经济发展硬环境,经济发展的辐射力和聚合力明显增强,优化了经济发展硬环境。以上三项资金共计8960万元,需要说明的是上述三块资金大都是盘子外支出,一无计划,二无固定来源,三是此笔巨额资金,多数是财政部门主动争取多方筹措拆借而来。

(四)加快财政改革步伐,着力建立公共财政体系。一是会计委派改革得到进一步深化,严格委派会计工作考核,坚持会计报告制度,建立严格的会计报告分析评比、定期通报制度,在区直机关事业单位推行了总会计师制度,通过严格的业务考试、公开演讲答辩、民主评议,顺利完成了总会计师的公开选拔,被省财政厅在全省推广。二是积极组织实施《政府采购法》,通过公开招标、询价采购、竞争性谈判等方式完成采购金额4386万元,节约资金809万元,节约率18.5%,政府采购改革得到进一步加强。三是注重发挥财政部门国有资本监管职能,不断健全和完善国有资本监管手段,努力提高国有资产运营质量和效益。四是在单位园区项目引进上,切实做到“五真五实”,即思想上真开实放,政策上真优实惠,服务上真帮实助,招商上真心实意,引资上真抓实干。与枣庄矿业集团多种经营实业总公司正式签订了矿用高性能镍氢电池及系列安全仪器生产项目,投资1200万元,形成规模生产后,可实现销售收入3000万元,年利税500万元,安置工人160名。五是认真做好原南石镇区划调整财税移交工作,既维护了我区的长期应得利益504万元,实现了平稳移交过渡,较好地解决了区划中的热点难点问题。

(五)财政监督管理得到加强,有效规范了财经秩序。一是认真落实“收支两条线”规定,对全区58个单位实行了“部门开缴款通知书、银行开票收款、财政统一管理”的“票款分离”管理体制,强化对预算外资金收入、支出、使用的监督管理,预算外资金管理工作取得了新突破,超额完成了全年预算外收入任务,增强了政府的宏观调控能力。二是扎实有效地开展了财税收入质量集中检查,在找准征管薄弱环节上下功夫,在清欠堵漏上加力度,在强化征管措施上抓落实,努力挖掘增收潜力,最大限度地堵塞财税漏洞,累计查补入库516万元(是台儿庄、山亭、峄城三个区之和还多100万元),成效显著。三是切实加强农村税费改革后的契税征管工作,农业“四税”完成1588万元,增长16.8%,重点加强对契税的依法征管,财政部门设立了区国土、房管两个契税征管办公室,实行了财政部门的直接征管,实现了源头控税,受到省市充分肯定,全年实现契税收入306万元,占预算的209%,较去年增收135万元,取得了新的突破。

(六)财政各项管理职能得到进一步加强。教育费附加征管工作超额完成义务教育费和职业教育费收缴任务,扎实做好农村中小学教师工资上缴区里统一发放,全区收取上缴工资资金2920万元,保证了农村中小学教师工资的发放,促进了农村教育事业的稳定发展。财政支农工作,对上积极争取各项支农资金,共争取各项资金982万元,重点扶持农业“八大工程”建设,支持农业社会化、产业化发展。基建财务管理工作在土地出让受益金征收管理上取得新突破,完成3277万元。基建投资评审中心工作,完成泰山路等工程审查额3950万元,审减900万元,审减率22.7%。企业财务争取资金2139万元,有力支持了区粮食企业的改革和发展,对粮食收储企业2006粮食年度各项补贴进行了专项清算,审减额77.6万元,审减率达到23.2%,进一步减轻了财政补贴负担。财政综合工作争取福利资金437万元,对全区土地开发复垦和养老助残事业的健康发展给予了财力支持。住房资金管理工作得到进一步加强,加大住房资金的归集管理力度,共收缴公积金完成746万元,完成比例207%,推动了我区的房改工作和住房建设的健康发展。积极稳妥做好局机关和财政所机构改革,理顺了区镇财政人事管理体制和工资管理体制,认真做好局机关安全保卫及财苑小区相关配套管理工作,为干部职工解除后顾之忧,创造了一个良好的工作生活环境。

(七)坚持以改革促发展,勇于争先创优,财政工作取得“部级两个典型、省级三项荣誉三项经验、市级十七项荣誉九项经验”的佳绩。“全国两个典型”即:一是2006年5月10日,全国农村税费改革试点地区在武汉召开的农业税收征管工作座谈会会议我区代表山东省基层区县作了《规范税收征管严格政策落实》的农税工作经验介绍;二是2006年4月8日,在财政部召开的全国财政系统先进集体评审会议对我局《与时俱进兴财政文明理财倡新风实践“三个代表”争创财政工作“四个一流”》的精神文明建设经验进行了推广介绍。“省级三项荣誉三项经验”即:2006年在全省财政工作会议暨“双先”表彰会议上被省政府授予“全省财政系统先进集体”,我局《精神文明春满园财政工作谱新篇》的典型经验在会议上推广;2006年通过“省级文明单位”验收,继续保持该荣誉;2006年12月被市区档案部门推荐为“省级档案管理先进单位”;2006年6月13日,全省财政社会保障工作会议推广了我区《制订两种方案签好两个“协议”稳步推进“并轨”改革》的典型做法;2006年7月25日,全省政府采购法工作会议推广了我局《强化措施深化改革积极推动政府采购法制化运作》的典型经验。“市级十七项荣誉九项经验”,荣誉既有财政整体工作和文明机关建设,又有税费改革工作、财政监督、农税征管、社保助残工作、关心国防建设、捐资助学、财政社会保障、财政决算、财政统计评价、基建财务管理、政府采购工作、债务金融管理等业务工作,会议推广经验主要包括财源建设、农税征管、财政教科文工作、财政社保医疗体制改革、内部审计、“扎口收费”、统计评价工作。单项工作上水平,整体工作上台阶,实现了“在全国多创经验,在全省全市多争先进”的既定目标,体现了“见第一就争、见红旗就扛”的争先创优精神。

(八)加强机关效能监察,促进财政工作全面“提速”。全面贯彻落实区委区政府关于“开展机关效能监察、提高行政效率、优化发展环境、加快改革发展”的重要部署,坚持以“立足本职、服务经济、加快发展”为宗旨,以“勤政、优政、廉政”为内容,进一步提高依法理财水平和财政工作服务质量,力求实现“行政效率、机关作风、业务工作”“三提速”的目标。

一是勤政。先后出台了机关考勤点名制度、岗位目标责任制、全员风险金抵押制、财政资金管理、财务管理、财政人员“八个不准”“八个必须做到”等四十五项、四百多条款规章制度,编印成册,人手一份。用制度规范行为,使制度深入人心,变为广大机关干部的自觉行为,大力推行“五个一工程”,即:从“一分钱”抓起,做到“管住自己的嘴,不该吃的不吃;管住自己的手,不该拿的不拿;管住自己的腿,不该去的地方不去”,廉洁自律,洁身自好;从“一份申请”抓起,能够做到的,要“快办办好”,由财力不足暂不能解决的,说明情况解释原因,形成“严、细、深、实、快”的工作作风;从“一个建议”抓起,深入基层,调查研究,为部门、基层动脑筋、想办法、服好务;从“一把扫帚”抓起,共同打造环境优美、卫生整洁的工作生活环境;从“一次电话”抓起,规范日常用语和行为。

将“八个不让”作为衡量效能监察成效的重要标准,即:不让领导布置的工作在我手里延误,不让应传递的业务在我手里中断,不让正在办理的事项在我手里积压,不让各种差错在我手里发生,不让来机关办事的同志在我这里受冷落,不让各种不良习气在我身上出现,不让财政形象在我这里受到影响,不让薛城的利益在我这里受到损害。实行挂牌上岗制度,设立公开栏,对局属各部门、每个股室、每个岗位均制定了职业规范,公开办事依据、程序、时限,把勤政要求统一于岗位责任制之中,真正使干部职工行动有准则,说话有原则,办事有依据。

二是优政。有针对性开展了以“六心精神”为内容的岗位优质服务活动,全系统干部职工立足岗位,努力做到“热心接待来访,诚心听取反映,细心了解情况,耐心说服解释,真心排忧解难,公心处理问题”。对于部门前来办理业务的同志,自觉做到了“一张笑脸、一声问候、一个请字、一个凳子、一杯开水”的服务要求,以体现“真心为人、真诚待人、真情感人、真切助人”的服务宗旨,做好耐心细致的解释工作,注重宣传财政形势和财政政策,让社会各界进一步了解财政、理解财政从而支持财政工作,让前来机关办事人员满意而归、理解而归,杜绝了“四难”现象,实现了机关效能监察的“零投诉”。

三是廉政。针对财政工作“管钱”的业务特点,坚持围绕中心、以人为本,突出理财首先理思想、管钱关键管好人,着力解决正确用好手中权、管好手中钱,在全系统内部全面推行“以德养廉,以章保廉,以俭促廉”的“三廉”新举措,即注重思想道德职业教育,筑起每位工作人员的内部自我约束防线;建立健全各项管理约束制度,筑起外部制约防线;强化日常检查管理,筑起跟踪监督管理防线。全面实行廉政建设目标化管理,通过“撤小户、建大户”集中归集管理资金,强化了源头控制,加大财务和财政资金的管理力度。取得了显著的经济效益和社会效益,省财政厅、审计厅、枣庄市纪委曾先后对此做法在全省、全市予以推广,《中国财经报》也在头版予以介绍。

四是严格落实,严格管理。局成立了效能投诉中心,公开投诉电话,设立了投诉信箱和违纪曝光台,在系统内部聘请了24名行风监督员,采取请进来,走出去的方法,对外发放征求意见表100余份,自觉接受社会监督。实行“一告诫二黄牌三停职四分流”的“四严制度”,局里成立巡查小组,进行不定期的抽查、暗查、突击检查。坚持先进集体流动奖杯制,以铁的纪律确保通过机关效能监察工作促进财政工作全面“提速”。

二、坚持“以人为本”的精神文明创建方针,积极争创学习型机关,深入持久开展系统精神文明建设。

一是用先进理论武装人。抓好政治理论学习,是加强干部队伍思想政治建设的基础性任务,认真落实局党组中心组和个人学习制度,采取“五学”办法,即领导自觉带头学、制定规划学、制度约束学、形式多样学和联系实际学,坚持领导述职时要“述学”,评议干部要“评学”,考核干部要“考学”。注重用先进理论武装人,不断提高广大财政干部职工政治理论水平。

二是用道德规范塑造人。有针对性地广泛开展“岗位对比”教育,有意识地把财政工作岗位、工作环境等同下岗职工、煤井工人、建筑民工作对比,在换位思考中增强财政干部职工做好财政工作的责任感和使命感,通过岗位对比,牢固树立爱岗敬业、乐于奉献的精神,干部职工的工作积极性、自觉性和主观能动性得到极大提高,涌现出了许多超常规工作、满负荷运转的动人事迹,组织财政收入、争取上级资金、回收财政借款从不怕困难,积极主动,奋力争先,由此汇聚而成的群体合力和活力,推动了财政聚财任务的完成或超额完成。

三是用丰富活动陶冶人。注重加大投入,加强文明创建阵地建设和硬件环境建设。加强了“五室”(创建荣誉室、档案资料室、党团活动室、报刊阅览室、文体娱乐室)“三栏”(岗位职能栏、政务公开栏、效能监察栏)建设,极大地调动了干部职工的工作积极性。充分发挥工、团、妇作用,组织开展文体活动,成立了局职工篮球队,和驻军部队慰问联谊,营造浓郁的财政文化氛围,全面启动干部职工内在活力。

四是用健康教育提升人。在财政系统人员集中居住的财苑小区,响亮提出了“同创文明社区、共建美好家园”,引导职工自己动手净化、美化、绿化家园,共同营造文明、安全、洁净、优美、舒适、温馨的居住环境,使财苑小区成为安全港湾,成为绿色社区,成为温馨家园,成为亮丽优美的城市风景线。局党组还通过编印《健康伴随着您》《健康保健》等医疗保健小册送到职工手中,全局职工互帮互助、亲如一家,健康文明向上的生活方式牢牢占据精神高地。

五是用业务学习提高人。持之以恒地坚持学习制度,去年特邀山东省财政学院李森教授来本局举办财政专题讲座。仅去年全系统共举办各类业务培训六期,培训100余人次,全区财政系统干部职工整体素质得到全面提升,目前全系统取得本科以上专业证书的人员占60%以上,会计师以上人数达到55人,财政干部队伍的知识结构得到优化。2006至2006年三年间全局共有26名同志通过全省统一考评获得高级会计师资格,连续三年考试及格率在全省财政系统名列前茅。

六是用激励机制鼓舞人。全区财政系统开展以“十佳股(所)、十佳股(所)长、十佳党团员、十佳精神文明标兵、十佳巾帼建功、十佳文明家庭”为内容的创建活动,以此作为创,建文明机关的“重头戏”,通过表彰先进,典型引路,“拨亮一盏灯,照亮一大片”。并将“六项十佳创建”活动记入个人档案,作为晋升晋级和岗位轮换的重要条件。注重两个文明的有机结合,把创建活动同落实岗位目标责任制紧密结合,同完成各项财政硬件目标任务紧密结合,“以软促硬”,使精神文明和财政工作齐头并进,协调发展。

三、以“三级联创”活动为动力,加强领导班子自身建设,充分发挥基层党组织的战斗堡垒作用

(一)争创好班子,带出好队伍。身先才能率人,律己才能服人,局党组深切体会到,领导干部喊破嗓子,不如做出样子。为此明确提出了“队伍要向班子看齐,班子要向班长看齐”,坚持队伍建设首先从领导抓起,实施“一把手”工程,着力建设“团结、廉洁、务实、开拓”的好班子、钢班子。做到“四坚持”、“四不”、“做四种人”。“四坚持”即坚持集体领导、坚持分工负责、坚持广开言路和广求善策、坚持民主集中;“在原则问题上坚持“不打招呼、不批条子、不开口子、不送人情”,做到“铁板一块”;力使每个班子成员成为政治上的明白人、团结上的带头人、廉洁勤政的清白人、依法理财的正直人。

班子成员处处以身作则,工作率先垂范,带头遵守各项规章制度纪律,带头承担各项目标任务,在领导层形成“团结协调谋事业,勤政务实干事业”的良好氛围,在硬件任务目标的落实上,局领导既当指挥员,又当战斗员,带头深入到基层、到单位、到企业督促协调,形成了强大的凝聚力、感召力和战斗力。受到大家的一致拥护,也得到了区委、区政府的充分肯定和社会各界的普遍赞誉,在1999和2006年度“三创三争”活动和连续四年年度考核中,我局被区委、区政府授予“好班子”“好干部”和“一流业绩”荣誉称号以及“优秀等次”。

(二)坚持民主集中制原则,树立团结和谐、坚强有力的领导集体形象。自觉坚持民主集中制,局班子成员带头开展谈心交心活动,既集思广益,又多谋善断,容言、容事、容人,公道正派,严于律已,宽以待人,以身作则,顾全大局,勇于负责。领导班子成员之间讲党性、讲大局、讲原则,在政治上互相信任,工作上互相支持,感情上互相尊重,生活上互相关心,拧成一股绳,同唱一台戏,心往一处想,劲往一处使,话往一处说,事往一处干,心心相印,同舟共计,产出了很好的整体效能,形成了强大的凝聚力、感召力和战斗力。

(三)坚持求真务实的作风,树立开拓进取、奋发有为的领导集体形象。树立正确的权力观、苦乐观、政绩观,重事业、谋事业、干事业,做到思想上合心,工作上合力,行动上合拍。每位班子成员都能胸怀大局,解放思想,实事求是,主动参与集体领导,认真负责地履行好各自的职责,做到成事不败事,补台不拆台,树立求真务实的优良作风,坚持在“实”字上做文章、下功夫、求突破,真正把局党组各项决策落到实处,圆满完成区委、区政府下达的全年各项财政任务目标。

在财政工作的实践中,我们深深体会到,上述成绩的取得,是区委、区政府正确领导的结果,是区组织部门以及社会各界关心、支持、帮助的结果,是省市财政部门大力支持的结果。当然,上述成绩的取得,固然也是局领导班子每个成员各司其职、各尽其责、分工协作、密切配合、共同努力的结果,但更离不开全局每一位干部职工的齐心协力、勤奋工作。为了完成工作任务,大家在各自的工作岗位上兢兢业业,尽职尽责,尽心尽力,主动工作、积极工作、勤奋工作、努力工作、吃苦耐劳、毫无怨言,高尚的情操和可贵的奉献意识令人钦佩。许多多年辛勤耕耘在财政战线的老股长、老同志,工作中不讲待遇讲奉献,表现了难能可贵的敬业精神;每一位中层干部,立足本职,顾全大局,带领股所(分局)的全体同志奋力拼搏,为财政工作作出了不懈的努力;局机关中的巾帼女英,舍小家顾大家,令人感动不已。一大批年轻的同志更是以饱满的热情、旺盛的精力、全身心地投入到工作中去,为财政事业注入了新的生机和活力。恳切地说,没有区委、区政府领导和区直有关部门的关心支持,离开了同志们的辛勤努力,就不会取得现在这样的好成绩,就不会有今天财政工作这样良好的局面。在此,让我代表局领导班子全体成员,向关心、帮助、支持财政工作的领导、向全体财政干部职工表示衷心的感谢,和崇高的敬意!

半导体技术范文第2篇

知识目标

了解半导体以及半导体在现代科学技术中的应用.

能力目标

通过半导体知识的学习,扩展知识面.

情感目标

知道半导体在现代科技中的重要性,树立科技强国的观念.

教学建议

教材分析

教材从分析导体和绝缘体的区别入手,进一步引入另一种介乎导体和绝缘体之间的材料--半导体.接着分析了半导体的特点并提出问题.

教材又结合实例,介绍几种半导体的特性,说明了半导体地重要性.

教法建议

本节的教学要注重科技的联系,避免孤立的学习,要注意联系实际.

可以提出问题学生自主学习,学生根据提出的问题,可以利用教材和教师提供的一些资料进行学习.

也可以教师提出课题,学生查阅资料,从收集资料、信息的过程中学习,提高收集信息和处理信息的能力.

教学设计方案

【教学过程设计】

方法1、学生阅读教材,教师提供一些半导体的材料,教师提出一些问题,学生阅读时思考,例如:半导体和导体、绝缘体的有什么不同?你知道那些半导体元件?半导体都在哪些地方有应用?

方法2、对于基础较好的班级,可以采用实验探究和信息学习的方法.实例如下

实验探究:可以组织学生小组,图书馆、互联网查阅有关半导体方面的资料,小组讨论,总结半导体和导体、绝缘体的区别.

【板书设计】

1.半导体

概念

与导体、绝缘体的区别

2.半导体材料

3.半导体的电学性能

探究活动

【课题】探究二极管的特性

【组织形式】学习小组

【活动方式】查阅有关资料,总结、讨论.

【活动内容】查找、总结

1、二极管的四个特性.

半导体技术范文第3篇

知识目标

了解半导体以及半导体在现代科学技术中的应用.

能力目标

通过半导体知识的学习,扩展知识面.

情感目标

知道半导体在现代科技中的重要性,树立科技强国的观念.

教学建议

教材分析

教材从分析导体和绝缘体的区别入手,进一步引入另一种介乎导体和绝缘体之间的材料--半导体.接着分析了半导体的特点并提出问题.

教材又结合实例,介绍几种半导体的特性,说明了半导体地重要性.

教法建议

本节的教学要注重科技的联系,避免孤立的学习,要注意联系实际.

可以提出问题学生自主学习,学生根据提出的问题,可以利用教材和教师提供的一些资料进行学习.

也可以教师提出课题,学生查阅资料,从收集资料、信息的过程中学习,提高收集信息和处理信息的能力.

教学设计方案

【教学过程设计】

方法1、学生阅读教材,教师提供一些半导体的材料,教师提出一些问题,学生阅读时思考,例如:半导体和导体、绝缘体的有什么不同?你知道那些半导体元件?半导体都在哪些地方有应用?

方法2、对于基础较好的班级,可以采用实验探究和信息学习的方法.实例如下

实验探究:可以组织学生小组,图书馆、互联网查阅有关半导体方面的资料,小组讨论,总结半导体和导体、绝缘体的区别.

【板书设计】

1.半导体

概念

与导体、绝缘体的区别

2.半导体材料

3.半导体的电学性能

探究活动

【课题】探究二极管的特性

【组织形式】学习小组

【活动方式】查阅有关资料,总结、讨论.

【活动内容】查找、总结

1、二极管的四个特性.

半导体技术范文第4篇

教学目标

知识目标

了解半导体以及半导体在现代科学技术中的应用.

能力目标

通过半导体知识的学习,扩展知识面.

情感目标

知道半导体在现代科技中的重要性,树立科技强国的观念.

教学建议

教材分析

教材从分析导体和绝缘体的区别入手,进一步引入另一种介乎导体和绝缘体之间的材料--半导体.接着分析了半导体的特点并提出问题.

教材又结合实例,介绍几种半导体的特性,说明了半导体地重要性.

教法建议

本节的教学要注重科技的联系,避免孤立的学习,要注意联系实际.

可以提出问题学生自主学习,学生根据提出的问题,可以利用教材和教师提供的一些资料进行学习.

也可以教师提出课题,学生查阅资料,从收集资料、信息的过程中学习,提高收集信息和处理信息的能力.

教学设计方案

【教学过程设计】

方法1、学生阅读教材,教师提供一些半导体的材料,教师提出一些问题,学生阅读时思考,例如:半导体和导体、绝缘体的有什么不同?你知道那些半导体元件?半导体都在哪些地方有应用?

方法2、对于基础较好的班级,可以采用实验探究和信息学习的方法.实例如下

实验探究:可以组织学生小组,图书馆、互联网查阅有关半导体方面的资料,小组讨论,总结半导体和导体、绝缘体的区别.

【板书设计】

1.半导体

概念

与导体、绝缘体的区别

2.半导体材料

3.半导体的电学性能

探究活动

【课题】探究二极管的特性

【组织形式】学习小组

【活动方式】查阅有关资料,总结、讨论.

【活动内容】查找、总结

1、二极管的四个特性.

半导体技术范文第5篇

关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体

1半导体材料的战略地位

上世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命;上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用,将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路,必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式,彻底改变人们的生活方式。

2几种主要半导体材料的发展现状与趋势

2.1硅材料

从提高硅集成电路成品率,降低成本看,增大直拉硅(CZ-Si)单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后CZ-Si发展的总趋势。目前直径为8英寸(200mm)的Si单晶已实现大规模工业生产,基于直径为12英寸(300mm)硅片的集成电路(IC‘s)技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm,0.18μm工艺的硅ULSI生产线已经投入生产,300mm,0.13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功,直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。

从进一步提高硅IC‘S的速度和集成度看,研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外,SOI材料,包括智能剥离(Smartcut)和SIMOX材料等也发展很快。目前,直径8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功,更大尺寸的片材也在开发中。

理论分析指出30nm左右将是硅MOS集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题,更重要的是将受硅、SiO2自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高K介电绝缘材料(如用Si3N4等来替代SiO2),低K介电互连材料,用Cu代替Al引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ULSI的集成度、运算速度和功能,但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此,人们除寻求基于全新原理的量子计算和DNA生物计算等之外,还把目光放在以GaAs、InP为基的化合物半导体材料,特别是二维超晶格、量子阱,一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容GeSi合金材料等,这也是目前半导体材料研发的重点。

2.2GaAs和InP单晶材料

GaAs和InP与硅不同,它们都是直接带隙材料,具有电子饱和漂移速度高,耐高温,抗辐照等特点;在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路,特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。

目前,世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨,其中以低位错密度的垂直梯度凝固法(VGF)和水平(HB)方法生长的2-3英寸的导电GaAs衬底材料为主;近年来,为满足高速移动通信的迫切需求,大直径(4,6和8英寸)的SI-GaAs发展很快。美国莫托罗拉公司正在筹建6英寸的SI-GaAs集成电路生产线。InP具有比GaAs更优越的高频性能,发展的速度更快,但研制直径3英寸以上大直径的InP单晶的关键技术尚未完全突破,价格居高不下。

GaAs和InP单晶的发展趋势是:

(1)。增大晶体直径,目前4英寸的SI-GaAs已用于生产,预计本世纪初的头几年直径为6英寸的SI-GaAs也将投入工业应用。

(2)。提高材料的电学和光学微区均匀性。

(3)。降低单晶的缺陷密度,特别是位错。

(4)。GaAs和InP单晶的VGF生长技术发展很快,很有可能成为主流技术。

2.3半导体超晶格、量子阱材料

半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术(MBE,MOCVD)的新一代人工构造材料。它以全新的概念改变着光电子和微电子器件的设计思想,出现了“电学和光学特性可剪裁”为特征的新范畴,是新一代固态量子器件的基础材料。

(1)Ⅲ-V族超晶格、量子阱材料。

GaAIAs/GaAs,GaInAs/GaAs,AIGaInP/GaAs;GalnAs/InP,AlInAs/InP,InGaAsP/InP等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟,已成功地用来制造超高速,超高频微电子器件和单片集成电路。高电子迁移率晶体管(HEMT),赝配高电子迁移率晶体管(P-HEMT)器件最好水平已达fmax=600GHz,输出功率58mW,功率增益6.4db;双异质结双极晶体管(HBT)的最高频率fmax也已高达500GHz,HEMT逻辑电路研制也发展很快。基于上述材料体系的光通信用1.3μm和1.5μm的量子阱激光器和探测器,红、黄、橙光发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器已商品化;表面光发射器件和光双稳器件等也已达到或接近达到实用化水平。目前,研制高质量的1.5μm分布反馈(DFB)激光器和电吸收(EA)调制器单片集成InP基多量子阱材料和超高速驱动电路所需的低维结构材料是解决光纤通信瓶颈问题的关键,在实验室西门子公司已完成了80×40Gbps传输40km的实验。另外,用于制造准连续兆瓦级大功率激光阵列的高质量量子阱材料也受到人们的重视。

虽然常规量子阱结构端面发射激光器是目前光电子领域占统治地位的有源器件,但由于其有源区极薄(~0.01μm)端面光电灾变损伤,大电流电热烧毁和光束质量差一直是此类激光器的性能改善和功率提高的难题。采用多有源区量子级联耦合是解决此难题的有效途径之一。我国早在1999年,就研制成功980nmInGaAs带间量子级联激光器,输出功率达5W以上;2000年初,法国汤姆逊公司又报道了单个激光器准连续输出功率超过10瓦好结果。最近,我国的科研工作者又提出并开展了多有源区纵向光耦合垂直腔面发射激光器研究,这是一种具有高增益、极低阈值、高功率和高光束质量的新型激光器,在未来光通信、光互联与光电信息处理方面有着良好的应用前景。

为克服PN结半导体激光器的能隙对激光器波长范围的限制,1994年美国贝尔实验室发明了基于量子阱内子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器,突破了半导体能隙对波长的限制。自从1994年InGaAs/InAIAs/InP量子级联激光器(QCLs)发明以来,Bell实验室等的科学家,在过去的7年多的时间里,QCLs在向大功率、高温和单膜工作等研究方面取得了显着的进展。2001年瑞士Neuchatel大学的科学家采用双声子共振和三量子阱有源区结构使波长为9.1μm的QCLs的工作温度高达312K,连续输出功率3mW.量子级联激光器的工作波长已覆盖近红外到远红外波段(3-87μm),并在光通信、超高分辨光谱、超高灵敏气体传感器、高速调制器和无线光学连接等方面显示出重要的应用前景。中科院上海微系统和信息技术研究所于1999年研制成功120K5μm和250K8μm的量子级联激光器;中科院半导体研究所于2000年又研制成功3.7μm室温准连续应变补偿量子级联激光器,使我国成为能研制这类高质量激光器材料为数不多的几个国家之一。

目前,Ⅲ-V族超晶格、量子阱材料作为超薄层微结构材料发展的主流方向,正从直径3英寸向4英寸过渡;生产型的MBE和M0CVD设备已研制成功并投入使用,每台年生产能力可高达3.75×104片4英寸或1.5×104片6英寸。英国卡迪夫的MOCVD中心,法国的PicogigaMBE基地,美国的QED公司,Motorola公司,日本的富士通,NTT,索尼等都有这种外延材料出售。生产型MBE和MOCVD设备的成熟与应用,必然促进衬底材料设备和材料评价技术的发展。

(2)硅基应变异质结构材料。

硅基光、电器件集成一直是人们所追求的目标。但由于硅是间接带隙,如何提高硅基材料发光效率就成为一个亟待解决的问题。虽经多年研究,但进展缓慢。人们目前正致力于探索硅基纳米材料(纳米Si/SiO2),硅基SiGeC体系的Si1-yCy/Si1-xGex低维结构,Ge/Si量子点和量子点超晶格材料,Si/SiC量子点材料,GaN/BP/Si以及GaN/Si材料。最近,在GaN/Si上成功地研制出LED发光器件和有关纳米硅的受激放大现象的报道,使人们看到了一线希望。

另一方面,GeSi/Si应变层超晶格材料,因其在新一代移动通信上的重要应用前景,而成为目前硅基材料研究的主流。Si/GeSiMODFET和MOSFET的最高截止频率已达200GHz,HBT最高振荡频率为160GHz,噪音在10GHz下为0.9db,其性能可与GaAs器件相媲美。

尽管GaAs/Si和InP/Si是实现光电子集成理想的材料体系,但由于晶格失配和热膨胀系数等不同造成的高密度失配位错而导致器件性能退化和失效,防碍着它的使用化。最近,Motolora等公司宣称,他们在12英寸的硅衬底上,用钛酸锶作协变层(柔性层),成功的生长了器件级的GaAs外延薄膜,取得了突破性的进展。

2.4一维量子线、零维量子点半导体微结构材料

基于量子尺寸效应、量子干涉效应,量子隧穿效应和库仑阻效应以及非线性光学效应等的低维半导体材料是一种人工构造(通过能带工程实施)的新型半导体材料,是新一代微电子、光电子器件和电路的基础。它的发展与应用,极有可能触发新的技术革命。

目前低维半导体材料生长与制备主要集中在几个比较成熟的材料体系上,如GaAlAs/GaAs,In(Ga)As/GaAs,InGaAs/InAlAs/GaAs,InGaAs/InP,In(Ga)As/InAlAs/InP,InGaAsP/InAlAs/InP以及GeSi/Si等,并在纳米微电子和光电子研制方面取得了重大进展。俄罗斯约飞技术物理所MBE小组,柏林的俄德联合研制小组和中科院半导体所半导体材料科学重点实验室的MBE小组等研制成功的In(Ga)As/GaAs高功率量子点激光器,工作波长lμm左右,单管室温连续输出功率高达3.6~4W.特别应当指出的是我国上述的MBE小组,2001年通过在高功率量子点激光器的有源区材料结构中引入应力缓解层,抑制了缺陷和位错的产生,提高了量子点激光器的工作寿命,室温下连续输出功率为1W时工作寿命超过5000小时,这是大功率激光器的一个关键参数,至今未见国外报道。

在单电子晶体管和单电子存贮器及其电路的研制方面也获得了重大进展,1994年日本NTT就研制成功沟道长度为30nm纳米单电子晶体管,并在150K观察到栅控源-漏电流振荡;1997年美国又报道了可在室温工作的单电子开关器件,1998年Yauo等人采用0.25微米工艺技术实现了128Mb的单电子存贮器原型样机的制造,这是在单电子器件在高密度存贮电路的应用方面迈出的关键一步。目前,基于量子点的自适应网络计算机,单光子源和应用于量子计算的量子比特的构建等方面的研究也正在进行中。

与半导体超晶格和量子点结构的生长制备相比,高度有序的半导体量子线的制备技术难度较大。中科院半导体所半导体材料科学重点实验室的MBE小组,在继利用MBE技术和SK生长模式,成功地制备了高空间有序的InAs/InAI(Ga)As/InP的量子线和量子线超晶格结构的基础上,对InAs/InAlAs量子线超晶格的空间自对准(垂直或斜对准)的物理起因和生长控制进行了研究,取得了较大进展。

王中林教授领导的乔治亚理工大学的材料科学与工程系和化学与生物化学系的研究小组,基于无催化剂、控制生长条件的氧化物粉末的热蒸发技术,成功地合成了诸如ZnO、SnO2、In2O3和Ga2O3等一系列半导体氧化物纳米带,它们与具有圆柱对称截面的中空纳米管或纳米线不同,这些原生的纳米带呈现出高纯、结构均匀和单晶体,几乎无缺陷和位错;纳米线呈矩形截面,典型的宽度为20-300nm,宽厚比为5-10,长度可达数毫米。这种半导体氧化物纳米带是一个理想的材料体系,可以用来研究载流子维度受限的输运现象和基于它的功能器件制造。香港城市大学李述汤教授和瑞典隆德大学固体物理系纳米中心的LarsSamuelson教授领导的小组,分别在SiO2/Si和InAs/InP半导体量子线超晶格结构的生长制各方面也取得了重要进展。

低维半导体结构制备的方法很多,主要有:微结构材料生长和精细加工工艺相结合的方法,应变自组装量子线、量子点材料生长技术,图形化衬底和不同取向晶面选择生长技术,单原子操纵和加工技术,纳米结构的辐照制备技术,及其在沸石的笼子中、纳米碳管和溶液中等通过物理或化学方法制备量子点和量子线的技术等。目前发展的主要趋势是寻找原子级无损伤加工方法和纳米结构的应变自组装可控生长技术,以求获得大小、形状均匀、密度可控的无缺陷纳米结构。

2.5宽带隙半导体材料

宽带隙半导体材主要指的是金刚石,III族氮化物,碳化硅,立方氮化硼以及氧化物(ZnO等)及固溶体等,特别是SiC、GaN和金刚石薄膜等材料,因具有高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点,成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料;在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景。另外,III族氮化物也是很好的光电子材料,在蓝、绿光发光二极管(LED)和紫、蓝、绿光激光器(LD)以及紫外探测器等应用方面也显示了广泛的应用前景。随着1993年GaN材料的P型掺杂突破,GaN基材料成为蓝绿光发光材料的研究热点。目前,GaN基蓝绿光发光二极管己商品化,GaN基LD也有商品出售,最大输出功率为0.5W.在微电子器件研制方面,GaN基FET的最高工作频率(fmax)已达140GHz,fT=67GHz,跨导为260ms/mm;HEMT器件也相继问世,发展很快。此外,256×256GaN基紫外光电焦平面阵列探测器也已研制成功。特别值得提出的是,日本Sumitomo电子工业有限公司2000年宣称,他们采用热力学方法已研制成功2英寸GaN单晶材料,这将有力的推动蓝光激光器和GaN基电子器件的发展。另外,近年来具有反常带隙弯曲的窄禁带InAsN,InGaAsN,GaNP和GaNAsP材料的研制也受到了重视,这是因为它们在长波长光通信用高T0光源和太阳能电池等方面显示了重要应用前景。

以Cree公司为代表的体SiC单晶的研制已取得突破性进展,2英寸的4H和6HSiC单晶与外延片,以及3英寸的4HSiC单晶己有商品出售;以SiC为GaN基材料衬低的蓝绿光LED业已上市,并参于与以蓝宝石为衬低的GaN基发光器件的竟争。其他SiC相关高温器件的研制也取得了长足的进步。目前存在的主要问题是材料中的缺陷密度高,且价格昂贵。

II-VI族兰绿光材料研制在徘徊了近30年后,于1990年美国3M公司成功地解决了II-VI族的P型掺杂难点而得到迅速发展。1991年3M公司利用MBE技术率先宣布了电注入(Zn,Cd)Se/ZnSe兰光激光器在77K(495nm)脉冲输出功率100mW的消息,开始了II-VI族兰绿光半导体激光(材料)器件研制的高潮。经过多年的努力,目前ZnSe基II-VI族兰绿光激光器的寿命虽已超过1000小时,但离使用差距尚大,加之GaN基材料的迅速发展和应用,使II-VI族兰绿光材料研制步伐有所变缓。提高有源区材料的完整性,特别是要降低由非化学配比导致的点缺陷密度和进一步降低失配位错和解决欧姆接触等问题,仍是该材料体系走向实用化前必须要解决的问题。

宽带隙半导体异质结构材料往往也是典型的大失配异质结构材料,所谓大失配异质结构材料是指晶格常数、热膨胀系数或晶体的对称性等物理参数有较大差异的材料体系,如GaN/蓝宝石(Sapphire),SiC/Si和GaN/Si等。大晶格失配引发界面处大量位错和缺陷的产生,极大地影响着微结构材料的光电性能及其器件应用。如何避免和消除这一负面影响,是目前材料制备中的一个迫切要解决的关键科学问题。这个问题的解泱,必将大大地拓宽材料的可选择余地,开辟新的应用领域。

目前,除SiC单晶衬低材料,GaN基蓝光LED材料和器件已有商品出售外,大多数高温半导体材料仍处在实验室研制阶段,不少影响这类材料发展的关键问题,如GaN衬底,ZnO单晶簿膜制备,P型掺杂和欧姆电极接触,单晶金刚石薄膜生长与N型掺杂,II-VI族材料的退化机理等仍是制约这些材料实用化的关键问题,国内外虽已做了大量的研究,至今尚未取得重大突破。

3光子晶体

光子晶体是一种人工微结构材料,介电常数周期的被调制在与工作波长相比拟的尺度,来自结构单元的散射波的多重干涉形成一个光子带隙,与半导体材料的电子能隙相似,并可用类似于固态晶体中的能带论来描述三维周期介电结构中光波的传播,相应光子晶体光带隙(禁带)能量的光波模式在其中的传播是被禁止的。如果光子晶体的周期性被破坏,那么在禁带中也会引入所谓的“施主”和“受主”模,光子态密度随光子晶体维度降低而量子化。如三维受限的“受主”掺杂的光子晶体有希望制成非常高Q值的单模微腔,从而为研制高质量微腔激光器开辟新的途径。光子晶体的制备方法主要有:聚焦离子束(FIB)结合脉冲激光蒸发方法,即先用脉冲激光蒸发制备如Ag/MnO多层膜,再用FIB注入隔离形成一维或二维平面阵列光子晶体;基于功能粒子(磁性纳米颗粒Fe2O3,发光纳米颗粒CdS和介电纳米颗粒TiO2)和共轭高分子的自组装方法,可形成适用于可光范围的三维纳米颗粒光子晶体;二维多空硅也可制作成一个理想的3-5μm和1.5μm光子带隙材料等。目前,二维光子晶体制造已取得很大进展,但三维光子晶体的研究,仍是一个具有挑战性的课题。最近,Campbell等人提出了全息光栅光刻的方法来制造三维光子晶体,取得了进展。

4量子比特构建与材料

随着微电子技术的发展,计算机芯片集成度不断增高,器件尺寸越来越小(nm尺度)并最终将受到器件工作原理和工艺技术限制,而无法满足人类对更大信息量的需求。为此,发展基于全新原理和结构的功能强大的计算机是21世纪人类面临的巨大挑战之一。1994年Shor基于量子态叠加性提出的量子并行算法并证明可轻而易举地破译目前广泛使用的公开密钥Rivest,Shamir和Adlman(RSA)体系,引起了人们的广泛重视。

所谓量子计算机是应用量子力学原理进行计的装置,理论上讲它比传统计算机有更快的运算速度,更大信息传递量和更高信息安全保障,有可能超越目前计算机理想极限。实现量子比特构造和量子计算机的设想方案很多,其中最引人注目的是Kane最近提出的一个实现大规模量子计算的方案。其核心是利用硅纳米电子器件中磷施主核自旋进行信息编码,通过外加电场控制核自旋间相互作用实现其逻辑运算,自旋测量是由自旋极化电子电流来完成,计算机要工作在mK的低温下。

这种量子计算机的最终实现依赖于与硅平面工艺兼容的硅纳米电子技术的发展。除此之外,为了避免杂质对磷核自旋的干扰,必需使用高纯(无杂质)和不存在核自旋不等于零的硅同位素(29Si)的硅单晶;减小SiO2绝缘层的无序涨落以及如何在硅里掺入规则的磷原子阵列等是实现量子计算的关键。量子态在传输,处理和存储过程中可能因环境的耦合(干扰),而从量子叠加态演化成经典的混合态,即所谓失去相干,特别是在大规模计算中能否始终保持量子态间的相干是量子计算机走向实用化前所必需克服的难题。

5发展我国半导体材料的几点建议

鉴于我国目前的工业基础,国力和半导体材料的发展水平,提出以下发展建议供参考。

5.1硅单晶和外延材料硅材料作为微电子技术的主导地位

至少到本世纪中叶都不会改变,至今国内各大集成电路制造厂家所需的硅片基本上是依赖进口。目前国内虽已可拉制8英寸的硅单晶和小批量生产6英寸的硅外延片,然而都未形成稳定的批量生产能力,更谈不上规模生产。建议国家集中人力和财力,首先开展8英寸硅单晶实用化和6英寸硅外延片研究开发,在“十五”的后期,争取做到8英寸集成电路生产线用硅单晶材料的国产化,并有6~8英寸硅片的批量供片能力。到2010年左右,我国应有8~12英寸硅单晶、片材和8英寸硅外延片的规模生产能力;更大直径的硅单晶、片材和外延片也应及时布点研制。另外,硅多晶材料生产基地及其相配套的高纯石英、气体和化学试剂等也必需同时给以重视,只有这样,才能逐步改观我国微电子技术的落后局面,进入世界发达国家之林。

5.2GaAs及其有关化合物半导体单晶材料发展建议

GaAs、InP等单晶材料同国外的差距主要表现在拉晶和晶片加工设备落后,没有形成生产能力。相信在国家各部委的统一组织、领导下,并争取企业介入,建立我国自己的研究、开发和生产联合体,取各家之长,分工协作,到2010年赶上世界先进水平是可能的。要达到上述目的,到“十五”末应形成以4英寸单晶为主2-3吨/年的SI-GaAs和3-5吨/年掺杂GaAs、InP单晶和开盒就用晶片的生产能力,以满足我国不断发展的微电子和光电子工业的需术。到2010年,应当实现4英寸GaAs生产线的国产化,并具有满足6英寸线的供片能力。

5.3发展超晶格、量子阱和一维、零维半导体微结构材料的建议

(1)超晶格、量子阱材料从目前我国国力和我们已有的基础出发,应以三基色(超高亮度红、绿和蓝光)材料和光通信材料为主攻方向,并兼顾新一代微电子器件和电路的需求,加强MBE和MOCVD两个基地的建设,引进必要的适合批量生产的工业型MBE和MOCVD设备并着重致力于GaAlAs/GaAs,InGaAlP/InGaP,GaN基蓝绿光材料,InGaAs/InP和InGaAsP/InP等材料体系的实用化研究是当务之急,争取在“十五”末,能满足国内2、3和4英寸GaAs生产线所需要的异质结材料。到2010年,每年能具备至少100万平方英寸MBE和MOCVD微电子和光电子微结构材料的生产能力。达到本世纪初的国际水平。

宽带隙高温半导体材料如SiC,GaN基微电子材料和单晶金刚石薄膜以及ZnO等材料也应择优布点,分别做好研究与开发工作。

(2)一维和零维半导体材料的发展设想。基于低维半导体微结构材料的固态纳米量子器件,目前虽然仍处在预研阶段,但极其重要,极有可能触发微电子、光电子技术新的革命。低维量子器件的制造依赖于低维结构材料生长和纳米加工技术的进步,而纳米结构材料的质量又很大程度上取决于生长和制备技术的水平。因而,集中人力、物力建设我国自己的纳米科学与技术研究发展中心就成为了成败的关键。具体目标是,“十五”末,在半导体量子线、量子点材料制备,量子器件研制和系统集成等若干个重要研究方向接近当时的国际先进水平;2010年在有实用化前景的量子点激光器,量子共振隧穿器件和单电子器件及其集成等研发方面,达到国际先进水平,并在国际该领域占有一席之地。可以预料,它的实施必将极大地增强我国的经济和国防实力。

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