半导体信息杂志 部级期刊
主管单位：中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所 主办单位：中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所
双月刊 审稿周期：1个月内
《半导体信息》创刊于1990年，由中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所主管、中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所主办的一本电子领域专业期刊。主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等，力求及时、准确、全面的反映该领域的政策、技术、应用市场及动态。
- 1962 发文量
- 115 总被引量
- 1990 创刊时间
投稿咨询
投稿热线：400-888-7501
订阅热线：400-888-7502
半导体信息期刊信息
- 出版语言：中文
- 创刊时间：1990年
- 曾用名：半导体信息报
- 纸张开本：A4
- 出版地区：江苏
- 发行周期：双月刊
半导体信息编辑部联系方式
地址：南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）
邮编：210016
半导体信息发文选摘
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1、美国布法罗大学研制出耐压1850V的氧化镓晶体管提高器件功率并保持小体积、低质量
作者：--
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2、成都集成电路行业协会成立推进产业联动、构建特色产业生态
作者：--
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3、宜普电源转换公司推出100V,25mΩ的eGaN功率晶体管
作者：--
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4、意法半导体和Leti合作开发硅基氮化镓功率转换技术
作者：--
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5、氮化镓（GaN）器件可满足雷达、电子战（EW）和通信系统所需的高性能、高功率和
作者：--
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6、台达公司使用高压GaN FET将电源尺寸缩小25%
作者：--
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7、雷神公司宣布在新生产的GEM-T拦截器中使用GaN发射器芯片
作者：--
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8、光电化学蚀刻可用于制造氮化镓中高纵横比深沟槽
作者：--
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9、高电子迁移率的磁感应氮化镓晶体管
作者：--
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10、集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模块
作者：--
半导体信息期刊评价分析
年发文量和被引次数
影响因子和立即指数
半导体信息期刊评价报告
| 年份 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 |
| 被引次数 | 0.008 | 0.011 | 0.008 | 0.013 | 0.021 | 0.016 | 0.018 | 0.003 |
| 影响因子 | 0.006 | 0 | 0.005 | 0 | 0.006 | 0.006 | 0 | 0 |
| 立即指数 | 176 | 190 | 194 | 147 | 167 | 161 | 152 | 148 |
| 发文量 | 1.25 | 2.5 | 2 | 3.25 | 2.56 | 3.4 | 3.33 | 4.38 |
| 被引半衰期 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| 引用半衰期 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 期刊他引率 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| 平均引文率 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
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