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电子器件杂志 北大期刊 统计源期刊

主管单位:中华人民共和国教育部  主办单位:东南大学

双月刊  审稿周期:1-3个月  全年订价:¥408.00

《电子器件》由孙立涛担任主编,创刊于1978年,由中华人民共和国教育部主管、东南大学主办的一本电子领域专业期刊。主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等,力求及时、准确、全面的反映该领域的政策、技术、应用市场及动态。

  • 32-1416/TN 国内刊号
  • 1005-9490 国际刊号
  • 3025 发文量
  • 0.65 影响因子
  • 11456 总被引量
  • 28-367 邮发代号
  • 1978 创刊时间
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电子器件期刊信息

  • 出版语言:中文/英语
  • 创刊时间:1978年
  • 国际刊号:1005-9490
  • 主编:孙立涛
  • 纸张开本:A4
  • 国内刊号:32-1416/TN
  • 出版地区:江苏
  • 发行周期:双月刊
  • 邮发代号:28-367

电子器件期刊荣誉

电子器件投稿须知

1.题名:力求简明、醒目,能准确反映文章主题。中文题名一般以25个汉字以内。

2.来稿请附相关的内容摘要和关键词。内容摘要在稿件正文之前,以100—300字为宜,简介主题范围、目的方法、内容梗概、创新之处、主要结论。

3.编辑部对来稿有删改权。不同意删改的稿件请在稿件中声明,编辑部保留对不同意删改稿件进行撤换的权力。

4.稿件作者的署名之下标注每个作者的工作单位全称及所在地的省或直辖市或自治区的地名、邮政编码,同时附英文翻译。

5.行文中的注释一律使用脚注,每页连续编号,脚注符号用①②……,其位置在标点符号前(引号除外)文字的右上角。注释应是对正文的附加解释或者补充说明,仅是参考或引用的文献等内容一般不作为注释出现。脚注请用宋体小5号。

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邮编:210096

主编:孙立涛

电子器件发文选摘

  • 1、基于GLOBALFOUNDRIES 0.18μm BCDliteTM工艺的微型CMOS五电极垂直型霍尔器件的研究

    作者:汤伟; 吕飞; 张胜; 潘红兵; 王敦辉

  • 2、5VpMOS器件的热载流子注入退化机理

    作者:杨翰琪; 刘小红; 吕康; 魏家行; 孙伟锋

  • 3、一种新型肖特基整流管设计

    作者:闫丽红; 王永顺; 韩根亮

  • 4、一种新型的常通型GaN HEMT器件

    作者:徐宏庆; 修强; 董耀文; 秦海鸿

  • 5、一种新型超级联碳化硅结型场效应管

    作者:修强; 董耀文; 彭子和; 秦海鸿; 游霞

  • 6、一种基于人工电磁超材料的宽带MIMO天线去耦方法

    作者:万发雨; 李鹤鸣; 于兵; 葛俊祥

  • 7、一种应用于WLAN的抗金属四频段平面单极天线设计

    作者:贾宇向

  • 8、基于改进粒子群优化算法nMOSFET寿命预测

    作者:曹建生; 李凯群

  • 9、高性能柔性电极制备及其电化学性能研究

    作者:李艳红

  • 10、基于片上工艺的MOEMS光强差分测量加速度计研究

    作者:薛国芳; 张培彦

电子器件期刊评价分析

年发文量和被引次数
影响因子和立即指数

电子器件期刊评价报告

年份 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021
被引次数 205 271 286 297 301 309 302 262 263
影响因子 760 878 993 1099 1098 1065 1126 1230 1231
立即指数 0.47 0.5 0.54 0.59 0.58 0.62 0.65 0.76 0.8
发文量 0.07 0.03 0.07 0.04 0.06 0.06 0.1 0.1 0.18
被引半衰期 0.75 0.68 0.66 0.65 0.72 0.86 0.86 0.85 0.89
引用半衰期 10.8 10.9 11.5 11.7 11.8 13.1 13.5 14.4 15
期刊他引率 5.45 6.08 5.81 5.07 4.6 3.89 3.75 3.62 3.64
平均引文率 4.48 5.31 5.15 4.98 5.08 5.46 5.18 4.12 4.18

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