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半导体技术杂志 北大期刊 统计源期刊

主管单位:中国电子科技集团公司  主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所

月刊  审稿周期:1-3个月  全年订价:¥408.00

《半导体技术》由赵小宁担任主编,创刊于1976年,由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的一本电子领域专业期刊。主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等,力求及时、准确、全面的反映该领域的政策、技术、应用市场及动态。

  • 13-1109/TN 国内刊号
  • 1003-353X 国际刊号
  • 2255 发文量
  • 0.34 影响因子
  • 7023 总被引量
  • 18-65 邮发代号
  • 1976 创刊时间
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半导体技术期刊信息

  • 出版语言:中文
  • 创刊时间:1976年
  • 国际刊号:1003-353X
  • 曾用名:半导体技术
  • 纸张开本:A4
  • 国内刊号:13-1109/TN
  • 出版地区:河北
  • 发行周期:月刊
  • 邮发代号:18-65

半导体技术期刊荣誉

半导体技术投稿须知

1.注释一律采用脚注,且须标明相应的作者、篇名、出版社(或杂志名)、年份(或年期)及页码。

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4.正文标题:内容应简洁、明了,层次不宜过多,层次序号为一、(一)、1、(1),层次少时可依次选序号。

5.作者切忌一稿多投,3个月内未收到我刊任何回复,即可将稿件另行处理。无论文章采用与否,均不予退稿,请作者自留底稿。

半导体技术编辑部联系方式

地址:石家庄市合作路113号

邮编:050051

主编:赵小宁

半导体技术发文选摘

  • 1、征稿通知 第13届国际专用集成电路会议

    作者:--

  • 2、金刚石基GaN HEMT技术发展现状和趋势

    作者:赵金霞

  • 3、基于InGaAs盖革模式APD探测器的主动淬灭电路设计

    作者:杨赟秀; 袁菲; 路小龙; 景立; 邓世杰; 呙长冬; 宋海智; 张伟

  • 4、一种性能指标可配置的SAR ADC的设计与实现

    作者:居水荣; 谢亚伟; 王津飞; 朱樟明

  • 5、SiC MOSFET的短路特性

    作者:高勇; 乔小可; 孟昭亮; 杨媛

  • 6、基于喷墨打印的In2O3/IGZO TFT的电学性能

    作者:梁坤; 邵霜霜; 罗慢慢; 谢建军; 赵建文; 崔铮

  • 7、双沟道脊波导InGaAsP/InGaAsP半导体激光器的温度分布仿真

    作者:李晓; 张瑞英; 郭春扬; 赵岳

  • 8、基于Statz模型的射频MOSFET非线性电容建模

    作者:薛佳男; 刘逸哲; 高建军

  • 9、n型双面TOPCon太阳电池钝化技术

    作者:于波; 史金超; 李锋; 庞龙; 刘克铭; 于威

  • 10、图形化蓝宝石衬底表面原位处理对GaN外延薄膜的影响

    作者:盛百城; 白欣娇; 唐兰香; 甘琨; 袁凤坡

半导体技术期刊评价分析

年发文量和被引次数
影响因子和立即指数

半导体技术期刊评价报告

年份 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021
被引次数 192 181 170 176 162 151 161 150 152
影响因子 532 570 631 561 608 578 623 689 659
立即指数 0.18 0.22 0.22 0.28 0.28 0.31 0.4 0.47 0.57
发文量 0.04 0.03 0.07 0.06 0.1 0.11 0.1 0.09 0.13
被引半衰期 0.9 0.88 0.88 0.86 0.88 0.89 0.86 0.81 0.79
引用半衰期 11.1 11.3 13.3 14.6 17.5 17.1 16.1 19.8 19.5
期刊他引率 5.63 6.04 6.78 6.39 7.04 7.32 7.04 6.8 5.18
平均引文率 4.57 5.19 5.38 5.91 4.43 4.89 3.86 4.93 4.75

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